Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF11N60F

FCPF11N60F
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
33 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF11N60F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Pulsed drain current33 A
Power dissipation36 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.