Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF11N60

FCPF11N60
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Power dissipation
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF11N60
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Power dissipation36 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP

Документация

Документ производителя