Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF099N65S3

FCPF099N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
75 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF099N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Pulsed drain current75 A
Power dissipation43 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.