Антава

ONSEMI

Транзистор FCP850N80Z

FCP850N80Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCP850N80Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность136 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 18A; 136W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.