Антава

ONSEMI

Транзистор FCP600N60Z

FCP600N60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7.4 A
Pulsed drain current
22.2 A
Power dissipation
89 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCP600N60Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7.4 A
Pulsed drain current22.2 A
Power dissipation89 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.