Антава

ONSEMI

Транзистор FCP360N65S3R0

FCP360N65S3R0
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
25 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP360N65S3R0
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current10 A
Pulsed drain current25 A
Power dissipation83 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.