Антава

ONSEMI

Транзистор FCP190N60E

FCP190N60E
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20.6 A
Pulsed drain current
61.8 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCP190N60E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20.6 A
Pulsed drain current61.8 A
Power dissipation208 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.