Антава

ONSEMI

Транзистор FCP165N65S3

FCP165N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
47.5 A
Power dissipation
154 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP165N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Pulsed drain current47.5 A
Power dissipation154 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 47.5A; 154W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.