Антава

ONSEMI

Транзистор FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
181 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCP125N65S3R0
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность181 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.