Антава

ONSEMI

Транзистор FCP11N60F

FCP11N60F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
11A
Pulsed drain current
33A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP11N60F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current11A
Pulsed drain current33A
Power dissipation125W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.38Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 125W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.