Антава

ONSEMI

Транзистор FCP11N60

FCP11N60
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 62 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%725,48 ₽

Сумма · с НДС 22%725,48 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1725,48 ₽
от 3643,04 ₽
от 10518,46 ₽
от 50382,89 ₽
от 100370,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFCP11N60
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя