Антава

ONSEMI

Транзистор FCP110N65F

FCP110N65F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
35 A
Pulsed drain current
105 A
Power dissipation
357 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCP110N65F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current35 A
Pulsed drain current105 A
Power dissipation357 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.