Антава

ONSEMI

Транзистор FCP099N65S3

FCP099N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
N
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP099N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
PolarisationN
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Power dissipation227 W
КорпусTO220
Gate-source voltage30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge61nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 30A; 227W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.