Антава

ONSEMI

Транзистор FCP099N60E

FCP099N60E
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
37 A
Pulsed drain current
111 A
Power dissipation
357 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP099N60E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current37 A
Pulsed drain current111 A
Power dissipation357 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge88nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.