Антава

ONSEMI

Транзистор FCP067N65S3

FCP067N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
312 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCP067N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current28 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation312 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance67 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.