Антава

ONSEMI

Транзистор FCMT199N60

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20.2 A
Pulsed drain current
60.6 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCMT199N60
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20.2 A
Pulsed drain current60.6 A
Power dissipation208 W
КорпусPower88
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.199 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.