Антава

ONSEMI

Транзистор FCMT180N65S3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
17 A
Pulsed drain current
42.5 A
Рассеиваемая мощность
139 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCMT180N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current17 A
Pulsed drain current42.5 A
Рассеиваемая мощность139 W
КорпусPQFN4
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4

Документация

Документы пока не предоставлены.