Антава

ONSEMI

Транзистор FCH125N60E

FCH125N60E
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
87 A
Power dissipation
278 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCH125N60E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current18 A
Pulsed drain current87 A
Power dissipation278 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.102 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.