Антава

ONSEMI

Транзистор FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
105 A
Рассеиваемая мощность
357 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCH110N65F-F155
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Pulsed drain current105 A
Рассеиваемая мощность357 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance96 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.