Антава

ONSEMI

Транзистор FCH099N65S3-F155

FCH099N65S3-F155
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
75 A
Рассеиваемая мощность
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCH099N65S3-F155
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Pulsed drain current75 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance79 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge61nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.