Антава

ONSEMI

Транзистор FCH043N60

FCH043N60
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
47.5 A
Pulsed drain current
225 A
Power dissipation
592 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCH043N60
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current47.5 A
Pulsed drain current225 A
Power dissipation592 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge163nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47.5A; Idm: 225A; 592W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.