Антава

ONSEMI

Транзистор FCH041N65F-F085

FCH041N65F-F085
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
76 A
Pulsed drain current
228 A
Рассеиваемая мощность
595 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCH041N65F-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current76 A
Pulsed drain current228 A
Рассеиваемая мощность595 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge277nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.