Антава

ONSEMI

Транзистор FCH041N60E

FCH041N60E
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
48.7A
Pulsed drain current
231A
Power dissipation
592W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCH041N60E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current48.7A
Pulsed drain current231A
Power dissipation592W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20V
On-state resistance36mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge285nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.