Антава

ONSEMI

Транзистор FCH040N65S3-F155

FCH040N65S3-F155
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
41 A
Pulsed drain current
162.5 A
Рассеиваемая мощность
417 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCH040N65S3-F155
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current41 A
Pulsed drain current162.5 A
Рассеиваемая мощность417 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge136nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.