Антава

ONSEMI

Транзистор FCH023N65S3L4

FCH023N65S3L4
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
65.8 A
Pulsed drain current
300 A
Рассеиваемая мощность
595 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCH023N65S3L4
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current65.8 A
Pulsed drain current300 A
Рассеиваемая мощность595 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance19.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge222nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.