Антава

ONSEMI

Транзистор FCD7N60TM-WS

FCD7N60TM-WS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
7A
Pulsed drain current
21A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCD7N60TM-WS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current7A
Pulsed drain current21A
Power dissipation83W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.