ONSEMI
Транзистор FCD7N60TM
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 4.4 A
- Power dissipation
- 83 W
- Корпус
- DPAK
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FCD7N60TM |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 4.4 A |
| Power dissipation | 83 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.