Антава

ONSEMI

Транзистор FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
15 A
Power dissipation
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCD600N65S3R0
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current6 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation54 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.