Антава

ONSEMI

Транзистор FCD600N60Z

FCD600N60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
7.4A
Pulsed drain current
22.2A
Power dissipation
89W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCD600N60Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current7.4A
Pulsed drain current22.2A
Power dissipation89W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.