Антава

ONSEMI

Транзистор FCD4N60TM

FCD4N60TM
Channel Type
N Channel
Rds(on) Test Voltage
10 V
Drain Source On State Resistance
1.2 Ω
Continuous Drain Current Id
3.9 A
Рабочая температура, макс.
150 °C
Transistor Mounting
Surface Mount
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 12 116 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%444,21 ₽

Сумма · с НДС 22%2 221,05 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 5444,21 ₽
от 50228,90 ₽
от 100206,24 ₽
от 500164,54 ₽
от 1000158,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Вариант поставкиДоступно к заказу 2 433 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%493,60 ₽

Сумма · с НДС 22%493,60 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1493,60 ₽
от 5391,81 ₽
от 10341,87 ₽
от 50243,92 ₽
от 100213,19 ₽
от 250184,38 ₽
от 500176,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFCD4N60TM
ПроизводительONSEMI
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSY-EX
RoHS: фталатыДа
Rds(on) Test Voltage10 V
Drain Source On State Resistance1.2 Ω
Continuous Drain Current Id3.9 A
Рабочая температура, макс.150 °C
Transistor MountingSurface Mount
Уровень влагочувствительностиMSL 1 - Unlimited
Рассеиваемая мощность50 W
Gate Source Threshold Voltage Max5 V
Вещества SVHCLead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds600 V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Количество выводов3
Исходное описание поставщика

ONSEMI - FCD4N60TM - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Документация

Документы пока не предоставлены.