Антава

ONSEMI

Транзистор FCD260N65S3

FCD260N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCD260N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation90 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.