Антава

ONSEMI

Транзистор FCB290N80

FCB290N80
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
17 A
Power dissipation
212 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCB290N80
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current17 A
Power dissipation212 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 212W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.