Антава

ONSEMI

Транзистор FCB260N65S3

FCB260N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
12A
Pulsed drain current
30A
Power dissipation
90W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCB260N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current12A
Pulsed drain current30A
Power dissipation90W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.26Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.