Антава

ONSEMI

Транзистор FCB20N60FTM

FCB20N60FTM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
12.5A
Power dissipation
208W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCB20N60FTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current12.5A
Power dissipation208W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.19Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.