Антава

ONSEMI

Транзистор FCB099N65S3

FCB099N65S3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
75 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCB099N65S3
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Pulsed drain current75 A
Power dissipation227 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge61nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.