ONSEMI
Транзистор FCB070N65S3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 44 A
- Рассеиваемая мощность
- 312 W
- Корпус
- D2PAK
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 10 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 476,59 ₽
Сумма · с НДС 22%1 476,59 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 476,59 ₽ | |
| от 5 | 1 228,69 ₽ | |
| от 10 | 1 088,58 ₽ | |
| от 50 | 826,31 ₽ | |
| от 100 | 795,78 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FCB070N65S3 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 44 A |
| Рассеиваемая мощность | 312 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 70 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.