Антава

INFINEON

Транзистор F4150R12KS4BOSA1

F4150R12KS4BOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x2, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
150 A
Корпус
AG-ECONO3-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%30 119,32 ₽

Сумма · с НДС 22%30 119,32 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 130 119,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяF4150R12KS4BOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x2, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current150 A
КорпусAG-ECONO3-4
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
Рассеиваемая мощность960 W
ТехнологияEconoPACK™ 3
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W

Документация

Документ производителя