Антава

INFINEON

Транзистор F4150R12KS4BOSA1

F4150R12KS4BOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x2, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
150 A
Корпус
AG-ECONO3-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяF4150R12KS4BOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x2, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current150 A
КорпусAG-ECONO3-4
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
Рассеиваемая мощность960 W
ТехнологияEconoPACK™ 3
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W

Документация

Документ производителя