WEEN SEMICONDUCTORS
Диод ESDHD05UFX
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Version
- ESD
- Peak pulse power dissipation
- 320 W
- Max. off-state voltage
- 5 V
- Breakdown voltage
- 6...9.5 V
- Max. forward impulse current
- 20 A
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ESDHD05UFX |
|---|---|
| Производитель | WEEN SEMICONDUCTORS |
| Type of diode | TVS |
| Version | ESD |
| Peak pulse power dissipation | 320 W |
| Max. off-state voltage | 5 V |
| Breakdown voltage | 6...9.5 V |
| Max. forward impulse current | 20 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 0.1 µA |
| Number of channels | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
| Серия | HD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; ESD; 320W; 6÷9.5V; 20A; unidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.