Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Диод ESDB12C

ESDB12C
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
14.2...16.7 V
Max. forward impulse current
5 A
Peak pulse power dissipation
0.2 kW
Semiconductor structure
bidirectional, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяESDB12C
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage14.2...16.7 V
Max. forward impulse current5 A
Peak pulse power dissipation0.2 kW
Semiconductor structurebidirectional, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage12 V
Leakage current50nA
Ёмкость19 pF
ApplicationCAN
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 14.2÷16.7V; 5A; 200W; bidirectional,double; ESD

Документация

Документ производителя