STMICROELECTRONICS
Диод ESDA8P80-1U1M
QFN1610Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Version
- ESD
- Peak pulse power dissipation
- 1.1 kW
- Max. off-state voltage
- 6.3 V
- Max. forward impulse current
- 80 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ESDA8P80-1U1M |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of diode | TVS |
| Version | ESD |
| Peak pulse power dissipation | 1.1 kW |
| Max. off-state voltage | 6.3 V |
| Max. forward impulse current | 80 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | QFN1610 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 0.2 µA |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; ESD; 1100W; 80A; unidirectional; QFN1610; reel,tape
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.