ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор EMG1T2R
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- NPN x2
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 50 V
- Collector current
- 0.1 A
- Power dissipation
- 0.15 W
- Current gain
- 56 A
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 15 529 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%14,25 ₽
Сумма · с НДС 22%8 806,50 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 618 | 14,25 ₽ | |
| от 1000 | 12,78 ₽ | |
| от 4000 | 11,68 ₽ | |
| от 5000 | 11,59 ₽ | |
| от 10000 | 11,45 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | EMG1T2R |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | NPN x2 |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 50 V |
| Collector current | 0.1 A |
| Power dissipation | 0.15 W |
| Current gain | 56 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Частота | 250 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 100mA; 150mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.