Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор EM6K6T2R

EM6K6T2R
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
0.6 A
Power dissipation
0.15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяEM6K6T2R
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current0.6 A
Power dissipation0.15 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW

Документация

Документы пока не предоставлены.