Антава

ONSEMI

Транзистор ECH8697R-TL-W

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
24 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяECH8697R-TL-W
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage24 V
Drain current10 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1.5 W
КорпусECH8
Gate-source voltage±12.5 V
On-state resistance11.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Semiconductor structurecommon drain
Applicationcharging control
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 10A; Idm: 60A; 1.5W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.