Антава

ONSEMI

Транзистор ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
24 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 060 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%128,28 ₽

Сумма · с НДС 22%128,28 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1128,28 ₽
от 10104,13 ₽
от 10072,82 ₽
от 50058,29 ₽
от 100056,21 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяECH8695R-TL-W
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage24 V
Drain current11 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1.4 W
КорпусECH8
Gate-source voltage±12.5 V
On-state resistance9.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Semiconductor structurecommon drain
Applicationcharging control
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8

Документация

Документ производителя