Антава

ONSEMI

Транзистор ECH8663R-TL-H

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяECH8663R-TL-H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1.4 W
КорпусECH8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance20.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.