ONSEMI
Транзистор ECH8657-TL-H
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 35 V
- Drain current
- 4.5 A
- Pulsed drain current
- 30 A
- Power dissipation
- 1.5 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | ECH8657-TL-H |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 35 V |
| Drain current | 4.5 A |
| Pulsed drain current | 30 A |
| Power dissipation | 1.5 W |
| Корпус | ECH8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 59 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 4.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 35V; 4.5A; Idm: 30A; 1.5W; ECH8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.