ONSEMI
Транзистор ECH8655R-TL-H
ECH8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 24 V
- Drain current
- 9 A
- Pulsed drain current
- 60 A
- Power dissipation
- 1.4 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ECH8655R-TL-H |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 24 V |
| Drain current | 9 A |
| Pulsed drain current | 60 A |
| Power dissipation | 1.4 W |
| Корпус | ECH8 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 16 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 16.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | common drain |
| Application | charging control |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 9A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.