ONSEMI

Транзистор ECH8654-TL-H

ECH8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -5 A
Pulsed drain current: -40 A
Power dissipation: 1.3 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	ECH8654-TL-H
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-5 A
Pulsed drain current	-40 A
Power dissipation	1.3 W
Корпус	ECH8
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	38 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1.3W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.