ONSEMI
Транзистор ECH8420-TL-H
ECH8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 14 A
- Pulsed drain current
- 50 A
- Power dissipation
- 1.6 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ECH8420-TL-H |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 14 A |
| Pulsed drain current | 50 A |
| Power dissipation | 1.6 W |
| Корпус | ECH8 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 6.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 29nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 50A; 1.6W; ECH8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.